[发明专利]低温条件下脱除有机硫的工艺方法无效

专利信息
申请号: 200810058668.6 申请日: 2008-07-10
公开(公告)号: CN101318099A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 唐晓龙;于丽丽;易红宏;宁平 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: B01D53/48 分类号: B01D53/48
代理公司: 昆明正原专利代理有限责任公司 代理人: 徐玲菊
地址: 650093云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明提供一种低温条件下脱除有机硫的工艺方法,经过废气冷却、用有机硫吸收液进行吸收,使有机硫水解成H2S和CO2,并吸收H2S,通CO气体进行有机硫吸收液的再生,再生产生的H2S再通入H2S吸收液中,以空气鼓泡法进行H2S吸收液的再生,再生过程产生的硫磺经离心分离、洗涤、脱水、熔融工序,即可得硫磺产品。本发明能有效脱除高浓度有机硫废气中的硫,使其吸收净化效率达95%以上,同时能使所用催化剂即有机硫吸收液、H2S吸收液得到再生,再生的同时可有效回收催化剂中吸收的硫单质。本发明工艺简单,投资少,运行费用低,操作简单,劳动强度低,不污染环境。
搜索关键词: 低温 条件下 脱除 有机 工艺 方法
【主权项】:
1、一种低温条件下脱除有机硫的工艺方法,其特征在于经过下列步骤:A、将含有机硫的废气冷却至20~100℃,按气液比为100~500h-1的量,将废气通入下列体积比的有机硫吸收液中,并使之饱和,以将有机硫水解成H2S和CO2,并吸收H2S:六氢吡啶 1~15%1mol/L氢氧化物 0.01~10%乙醇 40~60%水 余量;B、按气液比为100~500h-1的量,将CO气体通入A步骤饱和后的有机硫吸收液中,进行有机硫吸收液的再生,再生的温度为80~100℃,再生时间为5~8小时,再生的同时产生H2S;C、将B步骤再生过程产生的H2S气体,按气液比为100~500h-1的量,通入H2S吸收液中,吸收H2S至饱和,将H2S吸收液取出过滤;D、在C步骤的过滤液中,按气液比为100~500h-1的量通入空气,以现有技术中的空气鼓泡法进行H2S吸收液的再生,调整鼓氧再生后的吸收液pH值至8~9;再生过程产生的硫磺经现有技术的离心分离、洗涤、脱水、熔融工序,即可得硫磺产品。
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