[发明专利]杂化微波合成纯的和掺杂的MgB2超导体无效
| 申请号： | 200810055674.6 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101214969A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 郭娟;董成;杨立红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01B35/04 | 分类号： | C01B35/04;H01B13/00;H01B12/00;H01L39/24;H01L39/12 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种杂化微波合成纯的和掺杂的MgB2超导体的方法，该方法通过将原料混合后压片，在片的周围包裹加热介质，在惰性气氛的保护下微波加热合成块材MgB2超导体，其超导起始转变温度在39K以上。样品的临界电流密度J较高，与高压烧结方法制备样品的J值接近。本发明的方法中，Mg的挥发和氧化可以显著减少，而且避免了封管所带来的材料损耗。此外，本方法不仅可用来制备高质量的MgB2粉末，作为生产MgB2超导带材和线材的原料，而且可以合成单相的碳掺杂以及各种元素或化合物掺杂的MgB2超导体，获得单相性较好的样品。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 合成 掺杂 mgb sub 超导体 | ||
【主权项】：
1.一种杂化微波合成MgB2的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将金属镁粉、硼粉为原料，按镁和硼的摩尔比为1∶2进行称量并混匀，压片；2)将片的周围包裹加热介质，在惰性气氛的保护下微波加热合成纯的MgB2。
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