[发明专利]一种弥散铜基真空开关触头复合材料的制备工艺方法

摘要

本发明属于合金材料技术领域。提出的一种弥散铜基真空开关触头复合材料的制备工艺方法，采用低固溶度Cu－Al合金粉末，其铝含量不大于1.00wt％，余量为Cu，纯铬金属粉末、工业级Cu₂O作为原材料，其中，Cu－Al合金粉与氧化剂Cu₂O的混合比例为(94～96)wt％∶(6～4)wt％，Cu－Al合金粉和氧化剂Cu₂O的总量与Cr粉的混合比例为(75～50)wt％∶(25～50)wt％；制备工艺包括：合金熔炼，制粉，混粉，压制，内氧化和热挤压，冷拉拔成型；其中内氧化与烧结同时进行，烧结的温度为900－1050℃，烧结时间4～10小时；获得的弥散铜基真空开关触头复合材料主要包含有弥散铜基体Cu－Al₂O₃和Cr质点，其Al₂O₃含量≤1.50wt％，颗粒直径不大于100nm，Cr含量25wt％～50wt％。

主权项

1、一种弥散铜基真空开关触头复合材料的制备工艺方法，其特征是：采用低固溶度Cu-Al合金粉末，其铝含量不大于1.00wt％，余量为Cu，纯铬金属粉末、工业级Cu2O作为原材料，其中，Cu-Al合金粉与氧化剂Cu2O的混合比例为(94～96)wt％：(6～4)wt％，Cu-Al合金粉和氧化剂Cu2O的总量与Cr粉的混合比例为(75～50)wt％：(25～50)wt％；制备工艺包括：合金熔炼，制粉，混粉，压制，内氧化和热挤压，冷拉拔成型；其中内氧化与烧结同时进行，烧结的温度为900-1050℃，烧结时间4～10小时；获得的弥散铜基真空开关触头复合材料主要包含有弥散铜基体Cu-Al2O3和Cr质点，其Al2O3含量≤1.50wt％，颗粒直径不大于100nm，Cr含量25wt％～50wt％。