[发明专利]原位合成高纯绿色6H-SiC的供电方法无效

专利信息
申请号: 200810049489.6 申请日: 2008-04-07
公开(公告)号: CN101254920A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 杨东平 申请(专利权)人: 河南醒狮高新技术股份有限公司
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36
代理公司: 郑州异开专利事务所 代理人: 韩华
地址: 450001河南省郑*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种原位合成高纯绿色6H-SiC的供电方法,其分为三个阶段:第一阶段为造型阶段,原料进入冶炼炉内后,将供电功率调整至额定功率的75-85%,逐步形成β-SiC,形成碳化硅结晶筒;第二阶段为成型阶段,在供电6-8小时后,将供电功率调整为额定功率的100-110%,使结晶筒内温度达到2200℃,促使结晶不断的生成、生长,由β-SiC型体向α-SiC型体转变,晶体颗粒由微米级向毫米级生长;第三阶段:成品阶段,在供电20-24小时后,将供电功率下调至额定功率的65-75%后维持4-6小时,碳化硅结晶筒内温度达到2200℃,6H-SiC结晶形成。
搜索关键词: 原位 合成 高纯 绿色 sic 供电 方法
【主权项】:
1、一种原位合成高纯绿色6H-SiC的供电方法,其特征在于:所述的供电方法分为三个阶段:第一阶段:造型阶段,原料进入冶炼炉内后,将供电功率调整至额定功率的75-85%,温度提升至1200-1800℃,这时石英砂分解为SiO气后与碳基材料C在种料添加剂和高温的共同作用下反应,逐步形成β-SiC,形成碳化硅结晶筒;第二阶段:成型阶段,在供电6-8小时后,将供电功率调整为额定功率的100-110%,这时炉内形成的SiC蒸气及SiC分解形成的Si2C、SiC2气体参与晶体生产过程,转移至温度较低的部位凝集于碳化硅结晶筒上,使结晶筒内温度达到2200℃,促使结晶不断的生成、生长,由β-SiC型体向α-SiC型体转变,晶体颗粒由微米级向毫米级生长;第三阶段:成品阶段,在供电20-24小时后,将供电功率下调至额定功率的65-75%后维持4-6小时,碳化硅结晶筒内温度保持2200℃,6H-SiC结晶形成。
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