[发明专利]原位合成高纯绿色6H-SiC的供电方法无效

专利信息
申请号: 200810049489.6 申请日: 2008-04-07
公开(公告)号: CN101254920A 公开(公告)日: 2008-09-03
发明(设计)人: 杨东平 申请(专利权)人: 河南醒狮高新技术股份有限公司
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36
代理公司: 郑州异开专利事务所 代理人: 韩华
地址: 450001河南省郑*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 原位 合成 高纯 绿色 sic 供电 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及绿色碳化硅冶炼时的供电方法,尤其是涉及用无烟煤替代石油焦原位合成高纯绿色6H-SiC的供电方法。

背景技术

传统绿色碳化硅在冶炼生产中采用的是大功率供电方法,即设定大功率在达到额定功率后,供电功率不再发生变化。由于炉阻在整个冶炼过程中会一直发生变化,为了保持功率的恒定,冶炼时要及时调整变压器的档位降压,以提升供电电流,不仅操作程序复杂,且电耗高,冶炼1吨绿色碳化硅(化学纯度SiC>98.5%)电耗就在8800kwh左右。

发明内容

本发明的目的在于提供一种按照进程适时调整的原位合成高纯绿色6H-SiC的供电方法。

为实现上述目的,本发明可采取下述技术方案:

本发明所述的原位合成高纯绿色6H-SiC的供电方法为三个阶段:

第一阶段:造型阶段,原料进入冶炼炉内后,将供电功率调整至额定功率的75-85%,温度提升至1200-1800℃,石英砂分解为SiO气后与碳基材料C在种料添加剂和高温的共同作用下反应,逐步形成β-SiC,形成碳化硅结晶筒;

第二阶段:成型阶段,在供电6-8小时后,将供电功率调整为额定功率的100-110%,这时炉内形成的SiC蒸气及SiC分解形成的Si2C、SiC2气体参与晶体生产过程,转移至温度较低的部位凝集于碳化硅结晶筒上,使结晶筒内温度达到2200℃,促使结晶不断的生成、生长,由β-SiC型体向α-SiC型体转变,晶体颗粒由微米级向毫米级生长;

第三阶段:成品阶段,在供电20-24小时后,将供电功率下调至额定功率的65-75%后维持4-6小时,碳化硅结晶筒内温度达到2200℃,6H-SiC结晶形成。

本发明的优点在于将供电方式分为三个阶段,造型阶段是从原料投炉开始,由于温度提升至1200-1800℃时,石英砂即可分解为SiO气,SiO气与碳基材料C在种料添加剂和高温的共同作用下,逐步反应形成β-SiC,形成直径约1m的碳化硅结晶筒(根据炉型不同也有所不同),这种反应条件供电功率只需升至额定的75-85%即可达到,而该造型阶段由于持续1-8小时之久,与传统冶炼方法相比,电耗可以大大降低;当进入成型阶段时,碳化硅型体由β-SiC向α-SiC转化,即结晶向六面体转变,并沿着与炉心体轴向垂直的方向不断的生成、生长,结晶颗粒由微米级向毫米级生长(可达到3mm),这时结晶筒内温度需要达到1900-2200℃,将功率升至额定功率的100-110%才可满足此时的反应条件,该过程需要持续12-14个小时;当进入第三阶段时,6H-SiC晶体已经形成,如果持续保持成型阶段时的高温,不仅会造成成型晶体的分解和碳化,还会造成电能的浪费,这时将功率降为额定功率的65-75%,即可满足反应条件,又降低了单位电耗(降低幅度可达5-10%),由于炉阻变化较小,操作人员也无须连续地调压,大大简化了操作程序,同时可使6H-SiC晶体沿C轴方向(炉心体轴向垂直的方向)继续生长,颗粒尺寸可达6mm。

使用本技术方案生产的碳化硅结晶以6H-SiC晶体为主,结晶颗粒平均可达3-6mm且结构稳定,加工至10μ以细时仍能保持其优良的理化性能,SiC含量大于99%(传统绿色碳化硅为链状结晶,结晶颗粒为1-3mm,由于结晶生长不稳定,在后续粉碎加工后碳化硅含量降低,粉碎至10μ以细时,SiC含量只能达到98.0-98.5%)。由于在生产过程中采用分段式供电方法,每吨高纯绿色碳化硅的吨电耗可由传统的8800kwh左右下降至8000kwh以下,降低了能耗。

附图说明

图1是本发明三个阶段的供电功率曲线图。

具体实施方式

如图所示,本发明所述的原位合成高纯绿色6H-SiC的供电方法分为三个阶段:

第一阶段:造型阶段,原料进入冶炼炉内后,将供电功率调整至额定功率的75-85%,1-2小时后温度提升至1200-1800℃,这时石英砂分解为SiO气后与碳基材料C在种料添加剂和高温的共同作用下反应,逐步形成β-SiC,形成碳化硅结晶筒;

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