[发明专利]一种静态随机访问存储器的存储单元无效
申请号: | 200810047681.1 | 申请日: | 2008-05-12 |
公开(公告)号: | CN101315810A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 余国义;邹雪城;雷鑑铭;刘冬生;陈晓飞;余凯;龙爽;陈云武;王伟旭;陈越;陈龙 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 | 代理人: | 曹葆青 |
地址: | 430074湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种静态随机访问存储器单元,包括锁存电路、位选择电路和单掷开关电路,单掷开关电路的两端分别接锁存电路的第一数据存储节点和第二数据存储节点。与现有的技术相比,本发明的安全自擦除链路可以等效为一个“单掷开关”,它不会影响SRAM的正常工作,只有当SRAM突然掉电的情况下,“单掷开关”才会闭合,在SRAM锁存单元的数据保存节点之间形成一条低阻通路,迫使锁存单元成为一个等势体,完成信息自擦除。这种存储器单元可以有效地保护用户信息,防止SRAM存储的敏感数据和私密信息被窃取和人为攻击,从根本上解决了SRAM的信息残留问题,拓宽了SRAM在领域的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 静态 随机 访问 存储器 存储 单元 | ||
【主权项】:
1、一种静态随机访问存储器单元,包括锁存电路(1)和位选择电路(2),其特征在于:该单元还包括单掷开关电路(3),单掷开关电路(3)的两端分别接锁存电路(1)的第一数据存储节点(X)和第二数据存储节点(X)。
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