[发明专利]含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810045401.3 | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101293952A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 蒋亚东;韩莉坤;李伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C08G61/02 | 分类号： | C08G61/02;C08J5/18;G02F1/361 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物材料，其特征在于，其分子结构如(I)所示。本发明中含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物材料，由于将三氰基二氢呋喃单体连接到高分子主链上形成交联聚合物与线性聚合物，有利于提高生色团单元的含量，大大增强了材料的宏观非线性系数；并且通过聚合物的形成，提高了材料的耐热性能与光稳定性。因此与三氰基二氢呋喃单体相比具有更高的热稳定性、光稳定性以及良好的取向性等特点。因此，它将在微电子工业、光电子工业、通信等领域中拥有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 含三氰基二氢 呋喃 结构 单元 非线性 光学 聚合物 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物材料，其特征在于，其分子结构如(I)所示：![]()
其中聚合度n＝20-400，R1和R2为烷基取代基，其化学表达式可以是：-CH3、-CH2CH3、-CH2CH2CH3、![]()
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810045401.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热膨胀性微球及其制造方法
- 下一篇：用于混合介质环境中的图像匹配的方法和系统
