[发明专利]含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物材料及其制备方法

权利要求书

1、一种含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物材料，其特征在于，其分子结构如(I)所示：

其中聚合度n＝20-400，R₁和R₂为烷基取代基，其化学表达式可以是：-CH₃、-CH₂CH₃、-CH₂CH₂CH₃、

2、一种含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

①、将适量的三氰基二氢呋喃单体溶于有机溶剂，其浓度为300-500mmol/L，将等摩尔量的1，4-双卤甲基苯与适量的催化剂溶于有机溶剂中，其浓度为300-500mmol/L，采用滴加的办法缓慢加入至含三氰基二氢呋喃单体的有机溶剂溶液中，通氮气保护，在温度70℃-80℃下反应6-8小时；

②、将步骤①所得的溶液中冷却至室温，加入质量分数8-15％的盐酸溶液，搅拌，分出水相，有机相用无水CaCO₃干燥，然后倒入大量丙酮析出聚合物；

③、将步骤②所得的聚合物过滤，再用甲苯溶解，并再倒入大量丙酮，析出聚合物，重复操作2次，最后真空干燥，即得含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物材料。

3、根据权利要求2所述的含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物材料的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为氯苯、溴苯、邻二氯苯和N-甲基吡咯烷酮中的一种。

4、根据权利要求2所述的含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物材料的制备方法，其特征在于，所述1，4-双卤甲基苯包括1，4-双氯甲基苯和1，4-双溴甲基苯。

5、根据权利要求2所述的含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物材料的制备方法，其特征在于，所述催化剂包括SnCl₄和TiCl₄。

6、一种制备含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将上述所得的含三氰基二氢呋喃结构单元的非线性光学聚合物溶于氯苯中，配成质量分数为15％的溶液，用0.4μm的针头过滤器进行过滤，除去不溶物后，在ITO玻璃基片通过甩胶的方式得到非线性光学聚合物薄膜材料。