[发明专利]结晶区温度梯度调节器与坩埚下降法单晶生长装置无效

专利信息
申请号: 200810044561.6 申请日: 2008-04-10
公开(公告)号: CN101311332A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 朱世富;赵北君;何知宇;陈宝军;唐世红;王立苗 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00;F27B14/04;F27B14/06;F27B14/20
代理公司: 成都科海专利事务有限责任公司 代理人: 黄幼陵
地址: 610065四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种结晶区温度梯度调节器,由保温隔热材料制作的座板和保温隔热材料制作的动板组成,动板放置在座板所设置的凹槽中,其与凹槽为动配合。一种坩埚下降法单晶生长装置,包括上端封闭、下端开口的整体式炉体,安装在炉体上的加热器,安装安瓿的坩埚套,放置坩埚套的坩埚托,与坩埚托连接的升降旋转驱动机构,安装在炉膛结晶区B的上述结构结晶区温度梯度调节器;结晶区温度梯度调节器的座板固定在炉体上,旋转放置在座板凹槽中的动板,便可调节座板凹槽环面上调温孔I和动板环面上调温孔II的重合面积,从而调节从高温A区向低温C区辐射和传导的热流量,使结晶区B温度梯度可在大范围内调整,易于获得窄温区、大温梯的温场分布。
搜索关键词: 结晶 温度梯度 调节器 坩埚 下降 法单晶 生长 装置
【主权项】:
1、一种结晶区温度梯度调节器,其特征在于由保温隔热材料制作的座板(1)和保温隔热材料制作的动板(5)组成,座板(1)上设置有一底部为平面的凹槽(2),凹槽的中心部位开设有大于坩埚套外径的通孔I(3),凹槽的环面上开设有调温孔I(4),动板(5)的形状和径向尺寸与座板上设置的凹槽(2)相匹配,动板(5)中心部位开设有与通孔I尺寸相同的通孔II(6),动板(5)环面上开设有调温孔II(7),调温孔II与所述凹槽环面上开设的调温孔I(4)形状、尺寸、数量、间距相同,动板(5)放置在座板(1)所设置的凹槽(2)中,其与凹槽为动配合。
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