[发明专利]用SONOS晶体管作选择管的存储器单元无效
| 申请号： | 200810043957.9 | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101740119A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用SONOS晶体管作选择管的存储器单元，具体涉及一种非挥发性存储器单元。包括一个硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS管作为存储器件，其特征在于，该存储器单元的选择管为硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS管。因为本发明在现有的双管存储单元结构中，用硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)管代替MOS管作为选择管，从而大大缩小SONOS栅极和MCS栅极之间的距离，进而有效缩小存储单元的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | sonos 晶体管 选择 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种用SONOS晶体管作选择管的存储器单元，包括一个硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS管作为存储器件，其特征在于，该存储器单元的选择管为硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810043957.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种液压复位平板桨叶船舶推进装置
- 下一篇：一种水下机器人
