[发明专利]图像传感器的互连方法有效
| 申请号： | 200810040740.2 | 申请日： | 2008-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101630658A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 杨建平;朱虹;霍介光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/768;H01L27/146;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种制造CMOS图像传感器器件的方法，所述方法包括提供具有P型杂质性能的半导体衬底。所述半导体衬底包括表面区域。所述方法形成覆盖所述半导体衬底的第一区域的具有第一厚度的第一介电层。所述方法包括在所述第一介电层下在所述半导体衬底的一部分中提供N型杂质区域，以促使其特征在于至少的所述N型杂质区域和所述P型衬底的光电二极管器件区域的形成。在所述表面区域的第二区域中形成具有第二厚度的第二介电层。在第一介电层的第一厚度内的部分第一区域内形成第二介电层。所述方法形成至少覆盖第二区域的多晶硅栅极层，以形成连接到第二区域的接触元件。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造CMOS图像传感器器件的方法，所述方法包括：提供具有P型杂质特征的半导体衬底，所述半导体衬底包括表面区域；形成具有第一厚度的第一介电层，其覆盖所述半导体衬底的第一区域；在所述第一介电层下的所述半导体衬底的一部分中提供N型杂质区域，以促使形成其特征在于至少所述N型杂质区域和所述P型衬底的光电二极管器件区域；在所述表面区域的第二区域中形成具有第二厚度的第二介电层，在所述第一区域的一部分内形成所述第二厚度，所述部分在第一介电层的第一厚度内；形成覆盖至少第二区域的栅极层，以形成连接到所述第二区域的接触元件，所述栅极层包括多晶硅材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
