[发明专利]提高多晶硅生产的方法及其装置无效
| 申请号： | 200810040241.3 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101323449A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 袁建中 | 申请（专利权）人： | 上海通用硅晶体材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李兰英 |
| 地址： | 201900上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶硅的生产方法及装置，在还原炉内用电加热硅芯，使SiHCl3在H2气氛中还原，所得到的硅在硅芯的表面上沉积而生成多晶硅，本发明采用增大硅芯表面积的方法来提高生产多晶硅的速度。根据上述多晶硅的生产方法，本发明还提供了一种生产多晶硅的还原炉，包括炉罩、底板、进料口、出料口和硅芯，该还原炉是密闭的，进料口、出料口和电极安装在底板上，硅芯连接在电极上，其中所述的硅芯是片状的。在本发明的生产方法及装置中，将现有技术中的圆形硅棒改进为片状或管状或任意不规则薄层状的硅芯，增加了硅芯的表面积。由于在反应原料的浓度保持不变的情况下，硅的沉积速度主要取决于硅棒的表面积，因此本发明大幅度提高了硅的沉积速度，节约了生产时间，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 多晶 生产 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅的生产方法，在还原炉中用电加热硅棒，使SiHCl3在H2气氛中还原，所得到的硅在硅芯的表面上沉积而生成多晶硅，其特征在于增大硅芯的表面积。
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