[发明专利]N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路无效
| 申请号： | 200810038096.5 | 申请日： | 2008-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101594136A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 戴忠伟 | 申请（专利权）人： | 上海广晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 胡美强 |
| 地址： | 200030上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路，包括：第零NMOS管和第零PMOS管的栅极连在一起连到输入端，第零PMOS管的源极接到VDD1，第零PMOS管的漏极接第一电阻的一端，第零NMOS管的源接地GND1，第零NMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极和栅极、第二NMOS管的栅极以及第一电阻的另一端连在一起，第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地GND1，第二NMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极和漏极以及第二PMOS管的栅极连在一起，第一PMOS管和第二PMOS管的源极连到VDD2，第二NMOS管的漏极与第二电阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的栅极连在一起，第二电阻的另一端和第三NMOS管的源极连接到GND2上，第三PMOS管的源极连到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏极连到输出端；解决对栅耐压要求较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 功率 mos 驱动 芯片 电流 模式 电平 转换 电路 | ||
【主权项】：
1.一种N沟道功率MOS管驱动芯片中电流模式电平转换电路，其特征在于包括：第零NMOS管和第零PMOS管的栅极连在一起连到输入端，第零PMOS管的源极接到VDD1，第零PMOS管的漏极接第一电阻的一端，第零NMOS管的源接地GND1，第零NMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极和栅极、第二NMOS管的栅极以及第一电阻的另一端连在一起，第一NMOS管和第二NMOS管的源极接地GND1，第二NMOS管的漏极、第一PMOS管的栅极和漏极以及第二PMOS管的栅极连在一起，第一PMOS管和第二PMOS管的源极连到VDD2，第二NMOS管的漏极与第二电阻的一端以及第三PMOS管和第三NMOS管的栅极连在一起，第二电阻的另一端和第三NMOS管的源极连接到GND2上，第三PMOS管的源极连到VDD2上，第三PMOS管和第三NMOS管的漏极连到输出端OUT。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海广晶电子科技有限公司，未经上海广晶电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810038096.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：腰背舒展器
- 下一篇：一种治疗泌尿结石日久未愈的中药
