[发明专利]改善有源矩阵有机发光器件寿命的像素电路有效

专利信息
申请号: 200810035679.2 申请日: 2008-04-07
公开(公告)号: CN101251982A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 李俊峰;张晓建 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G09F9/33
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 白璧华
地址: 200233*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明改善有源矩阵有机发光器件寿命的像素电路,包括T1,用于接收本行扫描信号的控制将数据信号传递;T2,用于向发光二极管供给电流;T3、T4,用于接收当前行扫描线的控制提供电容的放电路径;T5,用于接收前面行的扫描信号控制提供电容充电的路径;存储电容C1,用于充电;发光二极管,用于T2向二极管执行发光操作。T1的源电极连接于信号线,漏电极与T3的源电极连接,再与笫T2栅电极连接于T4的漏电极及T5的源电极;T3的漏电极与笫四晶体管的源电极连接;T2的源电极与D1连接,漏电极与电源线连接;T5的栅电极与行扫描线连接,漏电极与电源线连接;电容C1电极分别连接于T2、T3的栅电极节点与电源线。
搜索关键词: 改善 有源 矩阵 有机 发光 器件 寿命 像素 电路
【主权项】:
1、一种改善有源矩阵有机发光器件寿命的像素电路,其特征在于:该电路包括:笫一晶体管T1,用于接收本行扫描信号的控制将数据信号传递到晶体管T3;笫二晶体管T2,用于在栅电压控制下向发光二极管OLED D1供给电流;笫三、笫四晶体管T3、T4,用于接收当前行扫描线的控制提供电容的放电路径,从而设定电容上的电压;笫五晶体管T5,用于接收前面行的扫描信号控制提供电容充电的路径;存储电容C1,用于充电,当充电使晶体管T2、T3处高电压时,使晶体管T3打开,在阈值电压存储阶,Gn变为高电压,Gn-1变为低电压,从而关闭晶体管T5,晶体管T4与晶体管T1打开;发光二极管OLED D1,用于晶体管T2在栅电压控制下向二极管OLEDD1供给电流,执行发光操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海广电光电子有限公司,未经上海广电光电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810035679.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top