[发明专利]一种可提高检测精准度的抛光终点检测方法有效
申请号: | 200810033816.9 | 申请日: | 2008-02-22 |
公开(公告)号: | CN101515537A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 李健 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66;B24B49/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈 蘅;李时云 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种可提高检测精准度的抛光终点检测方法,用于检测氧化物的化学机械抛光工艺的抛光终点。现有技术在进行氧化物的抛光终点检测时并未对所检测到波峰的扭矩进行检测而判定其为抛光终点,易在抛光速度过慢时出现抛光终点的误检测现象。本发明不仅在进行一预设时段的抛光后再进行抛光终点检测,还判断所检测到波峰对应的扭矩是否在正常终止扭矩范围,且在是时才判定所检测到波峰为抛光终点。采用本发明可避免在抛光速度过慢时出现的抛光终点误检测事件发生,如此可大大提高抛光终点检测的精准度和可靠性,进而大大提高氧化物化学机械抛光工艺的抛光质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 检测 精准 抛光 终点 方法 | ||
【主权项】:
1、一种可提高检测精准度的抛光终点检测方法,用于检测氧化物的化学机械抛光工艺的抛光终点,该方法包括以下步骤:a、对氧化物进行一预设时段的化学机械抛光工艺;其特征在于,该方法还包括以下步骤:b、判断化学机械抛光工艺的抛光曲线是否出现波峰,若是则继续步骤c,若否,则继续步骤b;c、判断该波峰所对应的扭矩是否在一正常终止扭矩范围,若是则判定该波峰为抛光终点,若否则返回步骤b。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810033816.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多功能插线板
- 下一篇:染料敏化太阳能电池的导电玻璃
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造