[发明专利]一种厚膜光刻胶清洗剂无效
| 申请号： | 200810032832.6 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101487993A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 史永涛;彭洪修;曹惠英;刘兵 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的一种厚膜光刻胶清洗剂，其含有二甲基亚砜、氢氧化钾、醇胺类化合物、芳基烷基醇和/或其衍生物以及聚羧酸类化合物。本发明的厚膜光刻胶清洗剂可以有效除去金属、金属合金或电介质基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻胶(光阻)，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有很低的腐蚀性，使其对晶片图形和基材表现出很低的腐蚀性，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 洗剂 | ||
【主权项】：
1. 一种厚膜光刻胶清洗剂，其特征在于：其含有二甲基亚砜、氢氧化钾、醇胺类化合物、芳基烷基醇和/或其衍生物以及聚羧酸类化合物。
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