[发明专利]一种减小OPC模型残余误差的方法有效
申请号: | 200810032343.0 | 申请日: | 2008-01-07 |
公开(公告)号: | CN101482697A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 张飞;王伟斌 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G06F17/50 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈 蘅;李时云 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种减小OPC模型残余误差的方法,将获得OPC模型的残余误差乘上选取的影响因子值修正OPC模型模拟图案的CD数据;然后计算修正模型残余误差的平均值,再通过改变影响因子的值计算不同影响因子下得出的OPC模型残余误差的平均值,综合比较不同影响因子计算出的模型残余误差的平均值大小,确定模型残余误差的平均值最小时对应的影响因子值,将此影响因子与OPC模型模拟的设计图案采样点的残余误差值相乘来修正OPC模型模拟的设计图案采样点的CD数据,从而可有效减小OPC模型残余误差,提高OPC模型的精度,提高OPE修正效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 减小 opc 模型 残余 误差 方法 | ||
【主权项】:
1、一种减小OPC模型残余误差的方法,OPC模型可用于模拟设计图案曝光后的图案,其特征在于,它包括以下步骤:步骤11:提供针对测试图案上一系列采样点的模型残余误差值,选取影响因子的初始值;步骤12:将所述测试图案上所有采样点的模型残余误差值乘上影响因子值后修正所述测试图案上采样点的特征尺寸数据;步骤13:将步骤12中所述修正的测试图案上采样点特征尺寸数据作为所述OPC模型模拟的设计图案的采样点特征尺寸数据后获得测试图案采样点的模型残余误差,并计算所述获得的测试图案采样点的模型残余误差的平均值;步骤14:改变影响因子值后作为所述步骤12中影响因子值,返回步骤12,若干次改变影响因子值后,执行步骤15;步骤15:比较不同影响因子值计算出的所述测试图案采样点的模型残余误差平均值大小,确定所述测试图案采样点的模型残余误差平均值最小时对应的影响因子值;步骤16:将所述步骤15确定的模型残余误差平均值最小的影响因子值乘上所述OPC模型模拟的设计图案采样点的模型残余误差值后修正OPC模型模拟的设计图案采样点的特征尺寸数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810032343.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备