[发明专利]一种减小OPC模型残余误差的方法有效

专利信息
申请号: 200810032343.0 申请日: 2008-01-07
公开(公告)号: CN101482697A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 张飞;王伟斌 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14;G06F17/50
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所 代理人: 屈 蘅;李时云
地址: 2012*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 减小 opc 模型 残余 误差 方法
【权利要求书】:

1.一种减小OPC模型残余误差的方法,OPC模型可用于模拟设计图案曝光后的图案,其特征在于,它包括以下步骤:

步骤11:提供针对测试图案上一系列采样点的模型残余误差值,选取影响因子的初始值;

步骤12:将所述测试图案上所有采样点的模型残余误差值乘上影响因子值后修正所述测试图案上采样点的特征尺寸数据;

步骤13:将步骤12中所述修正的测试图案上采样点特征尺寸数据作为所述OPC模型模拟的设计图案的采样点特征尺寸数据后获得测试图案采样点的模型残余误差,并计算所述获得的测试图案采样点的模型残余误差的平均值;

步骤14:改变影响因子值后作为所述步骤12中影响因子值,返回步骤12,若干次改变影响因子值后,执行步骤15;

步骤15:比较不同影响因子值计算出的所述测试图案采样点的模型残余误差平均值大小,确定所述测试图案采样点的模型残余误差平均值最小时对应的影响因子值;

步骤16:将所述步骤15确定的模型残余误差平均值最小的影响因子值乘上所述OPC模型模拟的设计图案采样点的模型残余误差值后修正OPC模型模拟的设计图案采样点的特征尺寸数据;

所述步骤11中所有采样点的模型残余误差值分别乘上的影响因子的初始值均相同,且所述影响因子的值大于0小于1。

2.如权利要求1所述的减小OPC模型残余误差的方法,其特征在于,所述步骤14中改变影响因子值是递增影响因子值,所述步骤11中选取的影响因子的初始值最小。

3.如权利要求1所述的减小OPC模型残余误差的方法,其特征在于,所述步骤14中改变影响因子值是递减影响因子值,所述步骤11中选取的影响因子的初始值最大。

4.如权利要求1所述的减小OPC模型残余误差的方法,其特征在于,所述步骤13中计算所述采样点的模型残余误差值的平均值是通过以下求均方根的公式 进行计算:

M=[(MRE1)2+(MRE2)2...+(MREi)2+...(MREn)2]1/2

其中,M为一系列采样点的模型残余误差均方根值,MRE1为采样点1的模型残余误差,MRE2为采样点2的模型残余误差,MREi为采样点i的模型残余误差,MREn为采样点n的模型残余误差。

5.如权利要求1所述的减小OPC模型残余误差的方法,其特征在于,所述步骤12中修正测试图案采样点的特征尺寸数据和步骤16中修正OPC模型模拟的设计图案采样点的特征尺寸数据是均是将图案上采样点的特征尺寸数据加入采样点的模型残余误差乘上步骤15确定的影响因子的值后作为所述OPC模型模拟的设计图案采样点的特征尺寸数据。 

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