[发明专利]LCD高压驱动电路的伪外延高压结构的制造方法

摘要

本发明涉及LCD高压驱动集成电路的制造方法，具体地说是一种低成本的实现LCD高压驱动电路的伪外延高压结构的制造方法。本发明与传统工艺的不同之处主要是材料从外延片改为单晶片，并一次完成阱的制造，同时栅氧的制造也改为一次，还有高压管制造挪到了栅氧生长前，而高压N管则采用了2次光刻制造。本发明的优点是：1.材料片的改变大大降低了制造成本，从外延片改变到普通单晶片，材料成本可以降低到原来的50％。2.高压管制造改到了栅氧前，降低了高压推结对栅氧的反掺杂机会，提高了栅氧的质量，性能达到10MV/cm以上，应用例子中的40nm栅氧其击穿达到40V以上。

主权项

LCD高压驱动电路的伪外延高压结构的制造方法，其特征是：步骤一，材料准备，圆片(1)使用普通单晶硅N<100>材料片；步骤二，制造掩蔽层，在圆片(1)的上面生长热氧化层(3)作为掩蔽层后，进行N型杂质P31离子注入；步骤三，推结，在圆片(1)的下面形成N-掺杂层的伪外延层(2)；步骤四，再进行阱光刻，使用光刻胶(4)将圆片(1)的非阱区保护起来；步骤五，阱注入，对圆片(1)上的阱区注入B11离子掺杂；步骤六，推阱，氧化扩散推结，温度1100～1200℃，时间6～9小时，使注入在阱区的B11离子杂质扩散，在圆片(1)内形成深P阱(5)；步骤七，制造有源区掩蔽层，通过氧化在整个圆片(1)的表面生长热氧化层(3)，在热氧化层(3)表面淀积氮化硅层(20)，形成有源区的掩蔽层；步骤八，有源区光刻，使用光刻胶将有源区保护起来；步骤九，有源区刻蚀，利用干法刻蚀无光刻胶保护区域的氮化硅层(20)；步骤十，再进行场氧化层的生长，使有源区外的场隔离热氧化层(3)生长500～1000nm；步骤十一，再牺牲氧化，氧化生长热氧化层(3)，使有源区内的热氧化层厚度约10～50nm；步骤十二，高压N管深结光刻，使用光刻胶将深P阱内的高压N管深N-漂移区域(10)以外的区域保护起来；步骤十三，高压N管深结注入，在深N-漂移区注入P31离子掺杂；步骤十四，高压N管深结推结，以形成高压N管深N-漂移区(10)；步骤十五，对高压N管浅结光刻，使用光刻胶将深P阱内高压N管浅N-漂移区(11)以外区域保护起来；步骤十六，高压N管浅结注入，进行浅N-漂移区P31离子注入掺杂；步骤十七，高压N管浅结推结，以形成高压N管浅N-漂移区(11)；步骤十八，高压P管光刻，使用光刻胶将衬底材料(1)上高压P管P-漂移区(12)以外区域保护起来；步骤十九，高压P管注入，进行P-漂移区B11离子注入掺杂；步骤二十，再对高压P管推结，以形成高压P管P-漂移区(12)；步骤二十一，表面漂洗，使用HF酸将牺牲氧化层约10～50nm的氧化层漂尽；步骤二十二，栅氧生长，氧化生长热氧化层(3)，有源区内厚度热氧化层约15～60nm；步骤二十三，多晶淀积，以低压气相淀积方式在整个圆片表面形成多晶层(7)；步骤二十四，多晶光刻，使用光刻胶将多晶层(7)用于形成多晶栅及多晶连线的区域保护起来；步骤二十五，多晶刻蚀，用干法刻蚀去除多晶层无光刻胶保护区域的多晶，形成多晶栅及多晶连线；步骤二十六，形成N+源漏模块，在圆片(1)上进行光刻，使用光刻胶将深P阱内高压N管和低压N管多晶层(7)栅两侧有源区中心的N+源漏以外的区域保护起来；再进行离子注入，将P31离子掺杂进相应N+源漏区域内；再推结，通过氧化扩散形成N+源漏高掺杂区(8)；步骤二十七，形成P+源漏模块，在圆片(1)上进行光刻，使用光刻胶将圆片衬底内的高压P管和低压P管多晶层(7)的栅两侧的有源区中心的P+源漏以外的区域保护起来；再进行离子注入，将B11离子掺杂进相应的P+源漏区域内；再推结，通过氧化扩散形成P+源漏高掺杂区(9)。