[发明专利]三维培养条件下细胞应变加载装置无效
申请号: | 200810017367.9 | 申请日: | 2008-01-22 |
公开(公告)号: | CN101221166A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 商澎;骞爱荣;杨鹏飞;丁冲;王哲 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | G01N33/48 | 分类号: | G01N33/48;G01N3/00;C12M1/00;C12Q1/02;G01B11/16 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 | 代理人: | 顾潮琪 |
地址: | 710072陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维培养条件下细胞应变加载装置,将电源通过驱动线连接至压电陶瓷片驱动部分的电极上,电极与压电陶瓷片相连;通过陶瓷片固定装置将压电陶瓷片固定在基底上,位移传递柱塞后端与压电陶瓷片的位移输出端固定在一起,细胞-支架构成的三维复合体位于培养小室底部中央位置,左右分别连接多孔固定材料,一侧的多孔固定材料固定在培养小室壁上,另一侧的多孔固定材料与位移传递柱塞固定连接;激光探头非接触安装于传递柱塞后端,与计算机相连,检测传递柱塞的前后位移。本发明能够在不停机的情况下加载振幅、频率,并方便的调节;具有可操作性好,重复精度高,力学加载平稳,误差小,避免了磁场干扰。 | ||
搜索关键词: | 三维 培养 条件下 细胞 应变 加载 装置 | ||
【主权项】:
1.三维培养条件下细胞应变加载装置,包括压电陶瓷驱动电源、压电陶瓷片驱动部分、细胞培养单元以及激光位移传感器形变检测部分,其特征在于:所述压电陶瓷片驱动部分包括压电陶瓷片、电极、陶瓷片固定装置、传递柱塞、多孔固定材料;细胞培养单元由基底和培养小室构成;激光位移传感器形变检测部分包括激光探头和计算机;电源通过驱动线连接至压电陶瓷片驱动部分的电极上,电极与压电陶瓷片相连;通过陶瓷片固定装置将压电陶瓷片固定在基底上,位移传递柱塞后端与压电陶瓷片的位移输出端固定在一起,前端与连接细胞--支架构成的三维复合体的多孔固定材料固定;细胞--支架构成的三维复合体位于培养小室底部中央位置,左右分别连接多孔固定材料,一侧的多孔固定材料固定在培养小室壁上,另一侧的多孔固定材料与位移传递柱塞固定连接;激光探头非接触安装于传递柱塞后端,与计算机相连,检测传递柱塞的前后位移。
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