[发明专利]均匀充电金属液滴偏转距离测控装置及其测控方法无效
| 申请号: | 200810017356.0 | 申请日: | 2008-01-22 |
| 公开(公告)号: | CN101220451A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
| 发明(设计)人: | 齐乐华;罗俊;杨观;周计明;杨方 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
| 主分类号: | C23C4/08 | 分类号: | C23C4/08;C23C4/12;G01C11/04;G01B11/02 |
| 代理公司: | 西北工业大学专利中心 | 代理人: | 黄毅新 |
| 地址: | 710072陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种均匀充电金属液滴偏转距离测控装置,包括偏转电极、充电电极、回收槽和充电调制电路,其特点是还包括光源、图像采集卡、CCD摄像机、金属液滴喷射装置、激振源、电压调节电路、D/A转换电路、图像采集处理模块以及高压直流电源,CCD摄像机将采集的照片传给图像采集处理模块,图像采集处理模块输出信号经D/A转换电路转换为模拟信号,控制充电调制电路调节充电脉冲的幅值。本发明还公开了利用这种测控装置测控均匀充电金属液滴偏转距离的方法,该方法通过CCD摄像机拍摄偏转金属液滴流照片,根据照片测量金属熔滴偏转距离,根据测量结果改变充电电压幅值,从而实现充电液滴偏转距离的控制。避免了高温液滴流污染装置问题。 | ||
| 搜索关键词: | 均匀 充电 金属 偏转 距离 测控 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种均匀充电金属液滴偏转距离测控装置,包括偏转电极、充电电极、回收槽和充电调制电路,其特征在于:还包括光源、图像采集卡、CCD摄像机、液滴喷射装置、激振源、电压调节电路、D/A转换电路、图像采集处理模块以及高压直流电源,在液滴喷射装置正下方放置一对充电电极,充电电极的下方是一对偏转电极,光源放置在偏转电极下方正对沉积处的液滴流,CCD摄像机对着偏转电极下方沉积处的液滴流;激振源产生的正弦激振信号驱动液滴喷射装置产生均匀金属液滴流,激振源产生TTL信号控制充电电调制电路将充电脉冲加载在充电电极的极板上,高压直流电源给偏转电极提供偏转电压,图像采集处理模块通过图像采集卡控制CCD摄像机与光源同步工作,CCD摄像机将采集到的照片传给图像采集处理模块,图像采集处理模块的输出信号经D/A转换电路转换为模拟信号,控制充电调制电路调节充电脉冲的幅值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学,未经西北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810017356.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法,例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理,例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆





