[发明专利]快闪存储器数据写入方法及其快闪存储器控制器有效
| 申请号： | 200810003152.1 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101483067A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 朱健华;赵伟程 | 申请（专利权）人： | 群联电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈 亮 |
| 地址： | 台湾省新竹县竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种数据写入方法，其适用于多层记忆单元(Multi Level Cell，MLC)与非(NAND)快闪存储器中的区块，此区块包括多个上页地址与写入速度快于此些上页地址的下页地址，此数据写入方法包括接收写入指令、判断在写入指令中新数据的欲写入地址是否为区块的上页地址、当欲写入地址为区块的上页地址时，则复制在此区块的下页地址中所记录的旧数据作为旧数据备份以及写入新数据至欲写入地址中。基此，能够在对MLC NAND快闪存储器的上页地址的写入数据时保护先前所写入的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 数据 写入 方法 及其 控制器 | ||
【主权项】：
1. 一种数据写入方法，其适用于一多层记忆单元与非快闪存储器中的一区块，该区块包括多个上页地址与写入速度快于该些上页地址的该些下页地址，该数据写入方法包括：接收一写入指令；判断在该写入指令中新数据的欲写入地址是否为该区块的上页地址；当该欲写入地址为该区块的上页地址时，则复制在该区块的下页地址中所记录的旧数据作为旧数据备份；以及写入该新数据至该欲写入地址中。
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