[发明专利]应力绝缘体上硅场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种制作绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法，该SOI底包括通过(ii)掩埋氧化物(BOX)层与(ii)体半导体层分离的单晶硅的绝缘体上硅(SOI)层，该BOX层包括掺杂的硅酸盐玻璃层。在该方法中，沉积牺牲应力层以覆盖SOI层并蚀刻透过牺牲应力层并进入SOI层的沟槽。SOI衬底与牺牲应力层被充分加热以引起玻璃层软化，因此引起所述牺牲应力层施加应力到SOI层以形成应力SOI层。然后电介质材料沉积在沟槽中以形成与应力SOI层的外围边缘接触的隔离区，该隔离区从应力SOI层的主表面向BOX层延伸。然后，移除牺牲应力层以暴露应力SOI层。

主权项

1.一种制作绝缘体上半导体衬底的方法，该绝缘体上半导体衬底包括通过掩埋氧化物层与体半导体层分离的单晶硅绝缘体上硅层，所述掩埋氧化物层包括掺杂的硅酸盐玻璃层，所述方法包括：沉积牺牲应力层到所述绝缘体上半导体衬底上以覆盖所述绝缘体上层；蚀刻沟槽，该沟槽透过所述牺牲应力层并进入所述绝缘体上硅层；加热所述绝缘体上半导体衬底及所述牺牲应力层到足以软化所述玻璃层，由此引起所述牺牲应力层将应力施加到所述绝缘体上硅层以形成应力绝缘体上硅层；在所述沟槽中沉积电介质材料以形成接触所述应力绝缘体上硅层的外围边缘的隔离区，所述隔离区从所述应力绝缘体上硅层向所述掩埋氧化物层延伸；以及移除所述牺牲应力层以暴露所述应力绝缘体上硅层。