[发明专利]磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序

摘要

本发明公开了一种磁控溅射设备的设计支持方法、系统和程序。读取静态磁场结构数据，在任意位置指定与溅射靶表面平行并且在其中产生等离子体的截面，并且计算穿过垂直于所指定截面中的平面的磁场为0的区域的中心的首尾相连形状的侵蚀中心线环。基于侵蚀中心线环的侵蚀率来计算在所指定的静态磁场结构数据的截面中的静态侵蚀率分布，计算随着磁体的旋转引起的旋转侵蚀率分布，并且通过使用旋转侵蚀率分布计算对象材料上的膜形成率分布。

主权项

1.一种磁控溅射设备的设计支持方法，所述磁控溅射设备通过设置在作为膜形成材料的溅射靶背面侧的旋转磁体而在所述溅射靶的表面侧形成磁场，从而束缚等离子体并且使从等离子体产生的离化原子以高速度碰撞所述溅射靶，从而实现溅射并在诸如晶片的对象材料上形成薄膜，该磁控溅射的设计支持方法包括如下步骤：静态磁场结构数据读取步骤，用于读取在所述磁体停止状态中产生的静态磁场结构数据，并且将该数据存储到存储单元中；截面指定步骤，用于在所述静态磁场结构数据的任意位置处指定与所述溅射靶表面平行并且在其中产生等离子体的截面；侵蚀中心线环计算步骤，用于计算穿过一区域的中心的首尾相连形状的侵蚀中心线环，在所述区域中，垂直于所指定的静态磁场结构数据的所述截面中的平面的磁场为0；静态侵蚀率分布计算步骤，用于基于所述侵蚀中心线环的侵蚀率来计算所指定的静态磁场结构数据的所述截面中的静态侵蚀率分布；旋转侵蚀率分布计算步骤，用于随着所述磁体的旋转通过对所述静态侵蚀率进行积分来计算旋转侵蚀率分布；以及膜形成率分布计算步骤，用于通过利用所述旋转侵蚀率来计算所述对象材料上的膜形成率分布。