[发明专利]负极活性材料、其制备方法及含该材料的负极和锂电池有效
| 申请号： | 200810001626.9 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101232093A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 金翰秀;马相国 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48;H01M4/58;H01M4/02;H01M4/04;C01B33/113;C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及负极活性材料、其制备方法及含该材料的负极和锂电池。提供包括无定形氧化硅的基于氧化硅的复合负极活性材料。在一个实施方式中，该无定形氧化硅由SiOx表示(其中0＜x＜2)，通过X射线光电子能谱法测量具有约103－约106eV的结合能和半宽度(FWHM)为约1.6－约2.4的硅峰，且从该硅峰的面积计算，硅原子百分数大于或等于约8％。该负极活性材件为通过烧结氢硅倍半氧烷(HSQ)获得的复合负极活性材料。包括该负极活性材料的负极和锂电池展现出改善的充电和放电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 负极 活性 材料 制备 方法 锂电池 | ||
【主权项】：
1.基于氧化硅的复合负极活性材料，包括由SiOx表示的无定形氧化硅，其中0＜x＜2，该无定形氧化硅通过X射线光电子能谱法测量具有约103-约106eV的结合能和半宽度(FWHM)为约1.6-约2.4的硅峰，其中从该硅峰的面积计算，该无定形氧化硅具有大于或等于约8％的Si原子百分数。
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