[发明专利]太阳电池单元无效
申请号: | 200780053661.9 | 申请日: | 2007-07-18 |
公开(公告)号: | CN101689571A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 中田仗祐 | 申请(专利权)人: | 京半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所 | 代理人: | 刘 俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的太阳电池单元在p形硅单结晶上具备:可产生光电动势的pn接合;以及由对pn接合的一部分施行高浓度杂质掺杂的p+扩散层与n+扩散层构成的p+n+接合;并具有当太阳电池单元被朝反方向施加偏压时,会通过p+n+接合而流通电流的反向导通特性。当使用多个太阳电池单元制造太阳电池模块时,可在未连接外部的旁路二极管的情况下,防止当任一太阳电池单元进入阴影时太阳电池单元的发热与劣化,且可防止太阳电池模块整体发电效率的降低。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 单元 | ||
【主权项】:
1.一种太阳电池单元,为在半导体基材上设有可产生光电动势的pn接合的太阳电池单元,其特征在于:在上述pn接合的一部分上,设置由经高浓度掺杂杂质的p+型导电层与n+型导电层所构成的p+n+接合;并具有当上述太阳电池单元被朝反方向施加偏压时,会通过上述p+n+接合而流通电流的反向导通特性。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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