[发明专利]调整参数来增加基于激光的晶片处理期间中的产量的系统和方法有效
| 申请号： | 200780053323.5 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101689405A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 凯利·J.·布鲁兰;柯林特·凡德吉亚森;杜安·艾特伦 | 申请（专利权）人： | 伊雷克托科学工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许 静 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用以自动修正基于激光的系统以处理目标样本(例如半导体晶片)的系统及方法。在一个实施例中，该基于激光的系统会侦测和处理模型相关联的触发信号。该处理模型对应于一组晶片。该系统会依据该处理模型而响应于该触发信号来自动调整一项或多项系统参数。该系统接着会使用所述经修正的系统参数来选择性地照射该组晶片中的至少一个晶片之上或之内的结构。在一实施例中，该触发信号包含和运动平台有关的热状态变异。该系统会响应于所述热状态变异而在一连串的移动中来操作该运动平台，直到抵达热均衡临界条件为止。举例来说，该移动序列可模拟用来处理特殊晶片的复数个移动。 | ||
| 搜索关键词： | 调整 参数 增加 基于 激光 晶片 处理 期间 中的 产量 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自动修正基于激光的系统的方法，所述系统用以处理目标样本，所述方法包括：侦测和所述基于激光的系统的第一处理模型相关联的触发信号，所述第一处理模型系对应于第一组目标样本；依据所述第一处理模型而响应于所述触发信号来自动调整一项或多项系统参数；以及使用所述一项或多项经调整的系统参数来操作所述基于激光的系统，用以选择性地照射所述第一组目标样本中的至少一个目标样本之上或之内的结构。
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