[发明专利]生产单晶的方法和设备无效
| 申请号： | 200780052807.8 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101680108A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | P·瓦本加德;A·尼尔森;T·L·拉尔森;J·E·彼德森;L·詹森 | 申请（专利权）人： | TOPSIL半导体材料股份公司 |
| 主分类号： | C30B13/26 | 分类号： | C30B13/26;C30B13/32;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 孙 爱 |
| 地址： | 丹麦腓*** | 国省代码： | 丹麦;DK |
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| 摘要： | 公开了一种用于生产单晶的方法，包括：使多晶棒(1)通过加热区域12)以产生熔融区(3)，向所述熔融区施加磁场，和通过熔融材料在单晶种(4)上的凝固而引发单晶(5)的生长。生长中的单晶以在顺时针和逆时针旋转方向之间交替的模式旋转。所述方法对于生产具有均匀电特性的硅单晶是有用的。也公开了用于实施所述方法的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于生产单晶的方法，其包括以下步骤：使多晶棒通过加热区域以产生熔融区，向所述熔融区施加磁场，和通过所述熔融材料在单晶种上的凝固而引发单晶的形成和生长，特征在于：生长中的单晶以在顺时针和逆时针旋转方向之间交替的模式进行旋转。
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