[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200780052450.3 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101641776A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 渡边健一;三沢信裕;大塚敏志 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭晓东;马少东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有：基板；层叠体，其形成在所述基板上，包括多层布线结构；防潮环，其在所述层叠体中，包围形成有有源元件的元件区域并连续延伸；保护槽部，其在所述层叠体中，在所述防潮环的外侧，沿着所述防潮环连续形成，并使所述基板表面露出；所述层叠体是通过层叠介电常数比SiO2膜低的层间绝缘膜而构成的，所述层叠体的上表面以及所述保护槽部的侧壁面及底面，除了所述多层布线结构上的电极垫片之外，被至少包含氮化硅膜的保护膜连续覆盖，在所述保护膜和所述保护槽部侧壁面之间，形成有以Si和C为主要成分的界面膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有：基板；层叠体，其形成在所述基板上，包括多层布线结构；防潮环，其在所述层叠体中，包围形成有有源元件的元件区域并连续延伸；保护槽部，其在所述层叠体中，在所述防潮环的外侧，沿着所述防潮环连续形成，并使所述基板表面露出；其特征在于，所述层叠体是通过层叠介电常数比SiO2膜低的层间绝缘膜而成的，所述层叠体的上表面以及所述保护槽部的侧壁面及底面，除了所述多层布线结构上的电极垫片之外，被保护膜连续覆盖，在所述保护膜与所述保护槽部侧壁面之间，形成有以Si和C为主要成分的界面膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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