[发明专利]制造磁性器件的方法无效
| 申请号： | 200780052423.6 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101641807A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 小平吉三;长田智明 | 申请（专利权）人： | 佳能安内华股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;C23F4/00;H01L27/105;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 使用非有机膜掩模在等离子体气氛中蚀刻磁性膜以生产磁性元件。所述等离子体气氛由选自由醚类、醛类、羧酸类、酯类和二酮类组成的组的至少一种气化化合物来形成。在等离子体气氛中使用非有机材料掩模蚀刻包含选自由元素周期表中第8族、第9族和第10族元素组成的组的至少一种金属的磁性膜或抗磁性膜。可以将选自氧、臭氧、氮、H2O、N2O、NO2和CO2组成的组的至少一种气体作为等离子体气氛气体添加至所述气化化合物。蚀刻速率和蚀刻比是令人满意的。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 磁性 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁性器件的方法，其包括以下步骤：形成通过使用选自由醚类、醛类、羧酸类、酯类、二酮类和胺类组成的气化化合物组的至少一种化合物产生的等离子体气氛和通过使用非有机材料掩模，蚀刻包括选自由元素周期表中第VIII族、第IX族和第X族组成的金属组的至少一种金属的磁性膜或抗磁性膜。
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