[发明专利]以高分辨率感测显微电子器件和生物体中的温度和温度分布无效
| 申请号: | 200780047784.1 | 申请日: | 2007-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN101611298A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
| 发明(设计)人: | T·米特瓦;G·内尔斯;安田章夫 | 申请(专利权)人: | 索尼德国有限责任公司 |
| 主分类号: | G01K11/20 | 分类号: | G01K11/20 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张轶东;范 赤 |
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | 本发明涉及一种以<1μm的分辨率测量物体中的温度和/或温度分布的方法以及用于实施该方法的装置,更特别地涉及一种实施该方法的显微镜。该方法包括在物体上施加被埋入基体层中的分子温度计,用所述显微镜的光源光激发所述的分子温度计以及用所述显微镜的两个光电探测器测量来自所述分子温度计的射线发射。通过所述第一探测器测量在第一波长处的第一强度,通过所述第二探测器测量在第二波长处的第二强度,计算所述强度比并将其用于利用校准曲线来确定温度,所述显微镜是共焦显微镜或受激发射损耗(STED)显微镜。 | ||
| 搜索关键词: | 高分辨率 显微 电子器件 生物体 中的 温度 分布 | ||
【主权项】:
1.一种以小于1μm的分辨率测量物体例如电子器件或生物体中的温度和/或温度分布的方法,所述方法包括以下步骤:a)提供物体,b)在待测量温度和/或温度分布的所述物体或所述物体的部分表面上施加温度计层,所述温度计层包括基体和具有温度依赖性的发射特性的分子温度计,所述分子温度计被埋入所述的基体中,所述温度计层的厚度≤40nm,,优选为10nm-40nm,c)提供具有光源、第一探测器、第二探测器以及用于接收并扫描待检查的样品的显微镜载物台,d)将所述物体放置在所述显微镜载物台上并利用所述光源光激发所述的分子温度计,e)通过采用所述第一和第二探测器测量发光强度比来测量来自所述光激发的分子温度计的射线发射,其中所述发光强度比是在第一和第二波长处的发光强度的比值,其中分别使用所述第一和第二探测器来测量在所述第一和第二波长处的发光强度,f)基于所述测量的发光强度比来确定温度和/或温度分布。
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