[发明专利]以高分辨率感测显微电子器件和生物体中的温度和温度分布无效
| 申请号: | 200780047784.1 | 申请日: | 2007-12-12 | 
| 公开(公告)号: | CN101611298A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 | 
| 发明(设计)人: | T·米特瓦;G·内尔斯;安田章夫 | 申请(专利权)人: | 索尼德国有限责任公司 | 
| 主分类号: | G01K11/20 | 分类号: | G01K11/20 | 
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张轶东;范 赤 | 
| 地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 高分辨率 显微 电子器件 生物体 中的 温度 分布 | ||
本发明涉及一种以<1μm的分辨率测量物体中的温度和/或温度分 布的方法以及用于实施该方法的装置,更特别是涉及一种用于实施该方 法的显微镜。
例如在生物体检查或在制造半导体及其它电子器件中,对于微观目 标的精确测量和高速热瞬态记录是关键的。在集成电路的热管理中,在 工作中的电子器件的温度和/或温度分布的测量是重要的。更重要的是, 这种测量应当给出关于了解器件物理学的信息,然后该信息可促进优化 过程。在过去,已经有致力于模型化以及有工作器件中空间及瞬时温度 分布的实验记录,迄今为止报道的两种光学记录方法是红外线热显微镜 和光发射显微镜与拉曼光谱显微镜的组合(G.Albright,J.Stump,C.Li, Quantum Focus Ins.Corp.and H.Kaplan,Honeyhill Technical Company, Highlights,2006;T.Fuyuki,K.Kitajima,H.Yano,T.Hatayama,Y.Uraoka, S.Hashimoto,Y.Morita,Thin Solid Films 487,216-220,2005;Y.Uraoka, K.Kitajima,H.Kirimura,H.Yano,T.Hatayama,T.Fuyuki,Japanese Journal of Applied Physics 44,2895-2901,2005;S.Inoue,M.Kimura,T. Shimoda,Japanese Journal of Applied Physics 42,1168-1172,2003;A. Sarua,H.Li,M.Kubal,M.J.Uren,T.Martin,K.P.Hilton,R.S.Balmer, CS Mantech,Apr.24-27,2006,Vancouver,British Columbia,Canada;J.W. Pomeroy,M.Kubal,M.J.Uren,K.P.Hilton,R.S.Balmer,T.Martin, Applied Physics Letters 88,023507,2006)。
所报道的这些方法没有一个能够达到在全部三维即x、y和z方向 上的高物理空间分辨率与快速检测和高温分辨率的组合。典型地,在先 前技术中在x,y-平面上焦点对准所达到的分辨率在1-10μm范围内,而 在z方向,即沿着光程对于给定目标的分辨率是x-y分辨率的两倍。
因此,本发明的一个目的是提供一种以高空间和瞬时分辨率测量温 度和/或温度分布的方法和装置。更特别是,本发明的一个目的是提供 x-y分辨率≤300nm并且z-分辨率为10-40nm的测量温度和/或温度分 布的方法和装置。
所有这些目的都通过以<1μm的分辨率测量物体例如电子器件或 生物体中的温度和/或温度分布的方法而得到了解决,所述方法包括以下 步骤:
a)提供物体,
b)在待测量温度和/或温度分布的所述物体或所述物体的部分表面 上施加温度计层,所述温度计层包括基体和具有温度依赖性的发射特性 的分子温度计,所述分子温度计被埋入所述的基体中,所述温度计层的 厚度≤40nm,,优选为10nm-40nm,
c)提供具有光源、第一探测器、第二探测器以及用于接收并扫描待 检查样品的显微镜载物台,
d)将所述物体放置在所述显微镜载物台上并利用所述光源光激发所 述的分子温度计,
e)通过采用所述第一和第二探测器测量发光强度比来测量来自所述 光激发的分子温度计的射线发射,其中所述发光强度比是在第一和第二 波长处的发光强度的比值,其中分别使用所述第一和第二探测器来测量 在所述第一和第二波长处的发光强度,
f)基于所述测量的发光强度比来确定温度和/或温度分布。
在一种实施方式中,所述显微镜是共焦显微镜或受激发射损耗 (STED)显微镜。
在一种实施方式中,所述分子温度计选自金属卟啉、对于>1%的激 发单重态、优选>50%的激发单重态、更优选>90%的激发单重态,在光 激发下发生系间窜越的其它分子(例如含溴的分子)以及在其结构中具 有例如Ir、Pt、Ru或Pd或其它如Zn、Fe、Au、Ag等并且对于>1%的 激发单重态、优选>50%的激发单重态、更优选>90%的激发单重态在光 激发下发生系间窜越的金属有机分子。
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