[发明专利]采用射频四极线性加速器引入用于半导体材料的粒子的设备和方法

摘要

本发明提供了一种用于形成能够自支撑的一个或多个可分离半导体膜的系统。该设备包括用来产生多个处于第一能级的准直带电粒子的离子源。该系统包括具有编号为1至N的多个彼此顺次耦合的模块化射频四极(RFQ)元件的线性加速器，其中N是大于1的整数。该线性加速器控制和加速所述多个第一能级的准直带电粒子成为具有处于第二能级的带电粒子束。编号为1的RFQ元件可操作地连接(或耦合)于离子源。该系统包括耦接(或连接)于RFQ线性加速器中编号为N的RFQ元件的输出孔。在一种特定实施方式中，该系统包括耦合(或连接)于输出孔的射束扩展器，射束扩展器被设计为将第二能级带电粒子束处理成扩展的带电粒子束。该系统包括连接于射束扩展器的处理室和设置于该处理室中的待注入工件。

主权项

1. 一种用于提供用于制造能够自支撑的一个或多个可分离半导体膜的带电粒子的设备，所述设备包括：用于产生多个带电粒子的离子源，所述多个带电粒子是处于第一能级的准直射束提供的；射频四极(RFQ)线性加速器，所述RFQ线性加速器包括编号为1至N的多个模块化射频四极(RFQ)元件，其中N是大于1的整数，所述多个模块化RFQ元件中的每一个彼此顺次耦合，所述RFQ线性加速器控制处于所述第一能级的带电粒子束并将其加速为具有第二能级的带电粒子束，编号为1的RFQ元件可操作地耦合于所述离子源；输出孔，耦合于所述RFQ线性加速器中编号为N的RFQ元件；射束扩展器，耦合于所述输出孔，所述射束扩展器被构造为将所述第二能级的带电粒子束处理为扩展的带电粒子束；处理室，耦合于所述射束扩展器；以及工件，设置于所述处理室内，所述工件包括注入所述扩展的带电粒子束的表面区域。