[发明专利]制造FET栅极的方法无效
| 申请号： | 200780041125.7 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101536153A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 赫尔本·多恩博斯;拉杜·苏尔代亚努 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种制造具有多个材料的FET栅极的方法，包括沉积虚设区域(8)，其后通过保形沉积每个金属层构成的一个层且其后进行各向异性的回蚀以留下虚设区域的侧面(10)上的金属层从而在栅极电介质(6)上形成多个金属层(16，18，20)。其后，去除虚设区域以留下金属层(16，18，20)作为栅极电介质(6)上的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 fet 栅极 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造FET的方法，包括：在半导体区域(2)上沉积栅极电介质(6)；在虚设结构区域(9)中的栅极电介质上沉积虚设结构(8)，并且形成虚设结构的图案以具有限定的边沿(10)；在栅极电介质和虚设结构上保形地沉积具有第一功函数的第一金属层(16)；从虚设结构(8)的顶部(12)和栅极电介质(6)的顶部有选择地回蚀第一金属层(16)，留下栅极电介质(6)上的虚设结构(8)的侧面(10)上的第一金属层(16)；在栅极电介质和虚设结构上以及在虚设结构的侧面上的第一金属层(16)上保形地沉积具有不同于第一功函数的第二功函数的第二金属层(18)；从虚设结构的顶部(12)和栅极电介质(6)的顶部有选择地回蚀第二金属层(18)，留下栅极电介质(6)上的虚设结构(8)的侧面(10)上的第一金属层(16)上的第二金属层(18)；去除虚设结构(8)，留下栅极电介质(6)上的第一金属层(16)和第二金属层(18)作为具有纵向变化的功函数的栅极金属层；以及邻近第一金属层(16)和第二金属层(18)在纵向上注入源极(22)区域和漏极(24)区域，以形成一种场效应晶体管，其栅极的材料沿着其长度方向在纵向上变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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