[发明专利]双折射薄膜的制造方法、双折射薄膜及层叠体无效
| 申请号： | 200780039824.8 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101529286A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 宫崎顺三;松田祥一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30;G02F1/13363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供折射率可被3维性地控制、薄型、放置于高温高湿下时光学特性难以降低且取向性良好的双折射薄膜的制造方法。本发明的双折射薄膜的制造方法包括：工序(1)含有至少1种多环式化合物和溶剂且显示向列液晶相的溶液，所述多环式化合物含有-SO3M基及/或-COOM基，M表示平衡离子；工序(2)准备至少一表面被亲水化处理后的基材；及工序(3)在所述工序(2)所准备基材的被亲水化处理后的表面，涂布所述工序(1)所配制的溶液并使其干燥；其中，使所述工序(2)所准备的基材的被亲水化处理后的表面成为在23℃时水的接触角为45°以下。 | ||
| 搜索关键词： | 双折射 薄膜 制造 方法 层叠 | ||
【主权项】：
1、一种双折射薄膜的制造方法，其包括：工序(1)：配制含有至少1种多环式化合物和溶剂且显示向列液晶相的溶液，所述多环式化合物含有-SO3M基及/或-COOM基，M表示平衡离子；工序(2)：准备至少一个表面被亲水化处理的基材；以及工序(3)：在所述工序(2)所准备的基材的被亲水化处理后的表面，涂布所述工序(1)所配制的溶液并使其干燥；其中，使所述工序(2)所准备的基材的被亲水化处理后的表面在23℃时水的接触角在45°以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780039824.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
