[发明专利]一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法无效
| 申请号： | 200780037530.1 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101523300A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 彭洪修;史永涛;刘兵 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 中国上海市浦东新区张江高科技园*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了一种低蚀刻性的光刻胶清洗剂及其清洗方法。这种低蚀刻性的光刻胶清洗剂包含二甲基亚砜、季铵氢氧化物，通式为R1O-[-(-CHmH2m-)-O-]n-R2的烷基二醇芳基醚或其衍生物，其中R1为芳基，R2为H或芳基，m＝2-6，n＝1-6。该清洗剂可用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时对于二氧化硅、Cu等金属以及低k材料等具有较低的蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蚀刻 光刻 洗剂 及其 清洗 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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