[发明专利]低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法有效
| 申请号： | 200780037477.5 | 申请日： | 2007-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101529339A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;史永涛 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203中国上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 提供了一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法。这种低蚀刻性光刻胶清洗剂包含(a)季胺氢氧化物，(b)二甲基亚砜，(c)通式见上述的烷基二醇芳基醚及其衍生物，其中R1为C6-18芳基；R2为H、C1-18烷基或C6-18芳基，m＝2-6，n＝1-6，(d)乙醇胺，(e)水和(f)缓蚀剂。该清洗剂可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶和其它残留物，同时能有效地抑制二氧化硅、Cu、Pb和Sn等金属以及低k材料等的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 光刻 洗剂 及其 清洗 方法 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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