[发明专利]形成含碳外延硅层的方法无效
| 申请号： | 200780028487.2 | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101496153A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | Y·金;Z·叶;A·佐嘉吉 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 于第一方面中，提供一种在基材上形成外延层堆栈的方法。此方法包含：(1)选择该外延层堆栈的一标的碳浓度；(2)在该基材上形成一含碳硅层，并依据所选择的该标的碳浓度，选择该含碳硅层所具有的一初始碳浓度、一厚度以及一沉积时间中的至少一者；以及(3)在蚀刻前，在该含碳硅层上形成一非含碳硅层。亦提供多种其它方面。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 外延 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基材上形成外延层堆栈的方法，其至少包含：选择该外延层堆栈的一标的碳浓度；在该基材上形成一含碳硅层，并依据所选择的该标的碳浓度，选择该含碳硅层所具有的一初始碳浓度、一厚度以及一沉积时间的至少一者；以及在蚀刻前，在该含碳硅层上形成一非含碳硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
