[发明专利]利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和系统有效
| 申请号： | 200780025426.0 | 申请日： | 2007-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN101490517B | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | T·特鲁科;R·A·巴多斯 | 申请（专利权）人： | BT成像股份有限公司 |
| 主分类号： | G01J1/00 | 分类号： | G01J1/00;G01N21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;王忠忠 |
| 地址： | 澳大利亚新*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中，通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光(110)、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像(120)、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性(130)来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 发光 成像 测试 间接 半导体器件 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种用来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性的方法，所述方法包括步骤：从外部激发所述间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光；捕获响应于所述外部激发从所述间接带隙半导体器件发出的光的图像；以及根据对两个或更多个所述图像中的区域的相对强度的比较来确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性，其中确定空间分辨特性的所述步骤包括比较至少两个图像中的区域的相对强度的步骤，所述图像选自包括下述的发光图像组：通过利用电信号激发所述间接带隙半导体器件所产生的电致发光图像；当所述间接带隙半导体器件的接触端保持开路状态时通过利用适于引起光致发光的入射光激发所述间接带隙半导体器件所产生的光致发光图像；以及通过利用适于引起光致发光的入射光激发所述间接带隙半导体器件并且同时相对于开路值改变跨越所述间接带隙半导体器件的接触端的电压电平所产生的光致发光图像。
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