[发明专利]磁头无效

专利信息
申请号: 200780023085.3 申请日: 2007-03-20
公开(公告)号: CN101473372A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 近藤玲子 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺;冯志云
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种磁头,该磁头包括性能提高的层压铁氧体结构的自旋阀磁致电阻元件。磁头具有:衬底,具有空气轴承面;自由层,在衬底上方与空气轴承面垂直地配置,在该垂直方向上划定元件高度,由铁磁层形成,根据外部磁场能够使磁化方向旋转;参考层,与自由层平行地配置,由铁磁层形成;第一中间层,在自由层和参考层之间配置,使两层磁性分离;固定层,与参考层平行地配置在与自由层相反一侧,由铁磁层形成,在元件高度方向上的长度比参考层更长;第二中间层,在参考层和固定层之间配置,与参考层、固定层一起构成层压铁氧体结构;反铁磁层,层叠在固定层上,用于固定固定层的磁化方向;而且由自由层、参考层、固定层构成自旋阀磁致电阻效应元件。
搜索关键词: 磁头
【主权项】:
1. 一种磁头,其特征在于,装有磁致电阻效应元件,该磁致电阻效应元件至少具有:衬底,其具有空气轴承面;自由层,其在上述衬底上方与空气轴承面垂直地配置,在该垂直方向上划定元件高度,而且由铁磁层形成,根据外部磁场能够使磁化方向旋转;参考层,其与上述自由层平行地配置,而且由铁磁层形成;第一中间层,其在上述自由层和上述参考层之间配置,而且使两层磁性分离;固定层,其与上述参考层平行地配置在与上述自由层相反一侧,由铁磁层形成,在上述元件高度方向上的长度比上述参考层更长,而且磁化方向被固定;第二中间层,其在上述参考层和上述固定层之间配置,而且与上述参考层、上述固定层一起构成层压铁氧体结构。
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