[发明专利]用于填充介电质间隙的处理室无效
| 申请号： | 200780020050.4 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101454482A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | D·卢博米尔斯基;梁奇伟;朴书南;祝基恩;叶怡利 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/00 | 分类号： | C23F1/00;H01L21/306;C23C16/22;C23C16/30;C23C16/46;C23C16/48;C23C16/52;C23C16/40;C23C16/36 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是揭露一种用于自介电前体的等离子而在基材上形成介电层的系统(100)。该系统(100)包括：一沉积室(201)；一位于沉积室(201)中以支托基材的基材座；以及一耦合至沉积室(201)的远程等离子产生系统，其中该等离子产生系统是用以产生包括一或多种反应性自由基的一介电前体。该系统(700)亦包括一前体分配系统(700)，包括位于该基材座上方的双通道喷洒头(700)。喷洒头(700)具有面板(802)，面板(802)包括第一组开孔(804)，反应性自由基介电前体通过第一组开孔(804)进入沉积室(201)，面板(802)还包括第二组开孔(806)，第二介电前体通过第二组开孔(806)进入沉积室(201)。亦可包括一原位(in-situ)等离子产生系统，以在沉积室(201)中由供应至沉积室(201)的介电前体而产生等离子。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 填充 介电质 间隙 处理 | ||
【主权项】：
1. 一种用于自介电前体的一等离子而在一基材上形成一介电层的系统，该系统包括：一沉积室；一基材座，是位于该沉积室中以支托该基材；一远程等离子产生系统，是耦合至该沉积室，其中该等离子产生系统是用以产生包括一反应性自由基的一第一介电前体；以及一前体分配系统，包括一设置于该基材座上方的双通道喷洒头，其中该喷洒头包括一面板，该面板具有一第一开孔组及一第二开孔组，该反应性自由基前体是通过该第一开孔组而进入该沉积室中，一第二介电前体则通过该第二开孔组而进入该沉积室中，且其中该些前体在进入该沉积室之前并未混合。
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