[发明专利]含氮合金以及使用该含氮合金的荧光体制造方法有效
申请号: | 200780018264.8 | 申请日: | 2007-05-18 |
公开(公告)号: | CN101448914A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 木岛直人;渡边展;关敬一 | 申请(专利权)人: | 三菱化学株式会社 |
主分类号: | C09K11/08 | 分类号: | C09K11/08;C09K11/64 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁香兰;赵冬梅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及含氮合金以及使用该含氮合金的荧光体制造方法,所述制造方法能够工业化生产高特性、特别是高辉度的荧光体。本发明还涉及可用于该荧光体制造方法的合金粉末。本发明的制造方法包括在含氮气氛下对荧光体原料进行加热的工序,该制造方法的特征在于,其使用含有2种以上构成荧光体的金属元素的合金作为全部或部分荧光体原料,并且,在上述加热工序中,于每1分钟的温度变化在50℃以内的条件下进行加热。在使用荧光体原料用合金作为部分或全部原料来制造荧光体时,能够抑制加热处理中的急剧的氮化反应,由此能够工业化生产高特性、特别是高辉度的荧光体。 | ||
搜索关键词: | 合金 以及 使用 荧光 体制 方法 | ||
【主权项】:
1、一种荧光体制造方法,其具有在含氮气氛下对荧光体原料进行加热的工序,该制造方法的特征在于:其使用荧光体原料用合金作为荧光体原料的一部分或全部,所述荧光体原料用合金为含有2种以上构成荧光体的金属元素的合金,并且在上述加热工序中,在从低于上述荧光体原料用合金的熔点100℃的温度到低于该熔点30℃的温度的温度范围,在每1分钟的温度变化为50℃以内的条件下进行加热。
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