[发明专利]降低存储器的老化效应无效
| 申请号： | 200780017823.3 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101449247A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | N·金;S·-L·卢;C·威尔克森;E·格罗乔夫斯基 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F12/00 | 分类号： | G06F12/00;G11C7/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 说明了降低存储器老化效应的方法和装置，在一种实施例中，在第一时间段期间将数据的修改版本存储在存储单元的部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 存储器 老化 效应 | ||
【主权项】：
1. 一种设备，包括：第一逻辑，在第一时间段期间引起数据的一个或多个位的修改版本在存储单元中的存储。
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