[发明专利]用于从离子源提取供在离子植入中使用的离子的方法及设备无效
申请号: | 200780016534.1 | 申请日: | 2007-06-12 |
公开(公告)号: | CN101512716A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 托马斯·N·霍尔斯基;罗伯特·W·米尔盖特;乔治·P·萨科;韦德·艾伦·克鲁尔 | 申请(专利权)人: | 山米奎普公司 |
主分类号: | H01J27/00 | 分类号: | H01J27/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 为离子束产生系统的提取电极提供热控制,所述热控制防止沉积物的形成及不稳定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起使用期间的有效冷却可防止电极损坏,从而允许所述提取电极为导热及耐氟的铝组合物。通过使用反应性卤素气体提供对所述离子源及提取电极的原位蚀刻清洗且通过具有可延长清洗之间的工作持续时间的特征来增强所述系统的工作寿命,其中包含准确的蒸气流量控制及对离子束光学装置的准确聚焦。出于清洗所述离子源及所述提取电极中的沉积物的目的,远程等离子体源将F或Cl离子递送到断电的离子源。这些技术在运行可冷凝的馈送气体(例如升华的蒸气)时实现较长的设备正常运行时间,且尤其适用于与所谓的冷离子源及通用离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化的砷元素及磷元素时实现较长设备正常运行时间且有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及设备。 | ||
搜索关键词: | 用于 离子源 提取 离子 植入 使用 方法 设备 | ||
【主权项】:
1、一种离子提取电极,其经构造以在具有具备低温操作模式的离子源的离子植入系统中使用,所述离子提取电极经构造且适于从所述离子源提取离子以离子束形式运送到用于离子植入的表面,所述离子提取电极与可控制加热器组合,所述可控制加热器经构造以将所述提取电极维持在高温下以阻止离开所述离子源的气体或蒸气在所述电极上冷凝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山米奎普公司,未经山米奎普公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780016534.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:防水推入式接线器
- 下一篇:用于判定尾气后处理元件氮氧化物转化效率的系统
- 同类专利
- 允许单元在包括碰撞模式和反应模式的至少两种模式之间切换的系统和操作质谱仪的工具套件-201190000354.6
- 汉密尔顿·巴迪艾;卡维·卡赫 - 珀金埃尔默健康科技有限公司
- 2011-02-28 - 2013-12-04 - H01J27/00
- 本实用新型涉及允许单元在包括碰撞模式和反应模式的至少两种模式之间切换的系统和操作质谱仪的工具套件。所述系统包括:单元,所述单元配置成在碰撞模式下接收碰撞气体以对所述单元增压以及配置成在反应模式下接收反应气体以对所述单元增压;以及电耦合到所述单元的控制器,所述控制器配置成在所述碰撞模式下向所述增压的单元提供第一有效电压以选择包含比选定的势垒能更大能量的离子,所述控制器还配置成在所述反应模式下向所述增压的单元提供第二有效电压以使用质量过滤来选择离子。
- 陶瓷填充式中子管-200910217791.2
- 乔双;严长春;景士伟 - 东北师范大学
- 2009-10-23 - 2010-04-28 - H01J27/00
- 本发明属于改进的可关断中子源,具体涉及一种中子管。本发明在阳极筒和离子源罩之间填充陶瓷绝缘环,在离子源罩和加速筒之间填充陶瓷绝缘环,既减小了中子管内的出气空间,又增加了绝缘强度,同时降低了封接的难度,有效地保证了系统的同轴度。发明效果可以大幅度降低放电、击穿几率,保证中子管的准直度,提高中子管的产额、寿命、稳定性,以Φ50为例,改进后寿命提高3倍以上,产额提高约5倍,稳定性不大于3%,成品率高于90%,可实现中子管加工制作的产业化。
- 用于从离子源提取供在离子植入中使用的离子的方法及设备-200780016534.1
- 托马斯·N·霍尔斯基;罗伯特·W·米尔盖特;乔治·P·萨科;韦德·艾伦·克鲁尔 - 山米奎普公司
- 2007-06-12 - 2009-08-19 - H01J27/00
- 为离子束产生系统的提取电极提供热控制,所述热控制防止沉积物的形成及不稳定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起使用期间的有效冷却可防止电极损坏,从而允许所述提取电极为导热及耐氟的铝组合物。通过使用反应性卤素气体提供对所述离子源及提取电极的原位蚀刻清洗且通过具有可延长清洗之间的工作持续时间的特征来增强所述系统的工作寿命,其中包含准确的蒸气流量控制及对离子束光学装置的准确聚焦。出于清洗所述离子源及所述提取电极中的沉积物的目的,远程等离子体源将F或Cl离子递送到断电的离子源。这些技术在运行可冷凝的馈送气体(例如升华的蒸气)时实现较长的设备正常运行时间,且尤其适用于与所谓的冷离子源及通用离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化的砷元素及磷元素时实现较长设备正常运行时间且有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及设备。
- 汽化器-200780020636.0
- 乔治·萨科;道格拉斯·R·亚当斯;德罗尔·奥韦德;托马斯·N·霍尔斯基;戴维·J·哈特尼特 - 山米奎普公司
- 2007-06-12 - 2009-06-17 - H01J27/00
- 本发明揭示一种汽化器单元,其将固体馈入材料、尤其包含用于半导体制造的簇分子的材料加热到产生待离子化的蒸汽的温度,其具有有效构造和许多有效的安全特征。加热器位于可卸顶部闭合部件中,且用以将所述顶部闭合部件中的阀维持在固体材料的加热温度高的温度下。顶部区为与底部区的界面的热分配器,底部的侧壁和底部壁将自界面所接收的热分配到暴露于馈入材料的空腔的表面。机械和电子编码的锁定、防止接近和有效使用提供安全性。硼烷、十硼烷(decaborane)、碳簇和其它大分子被汽化以用于离子植入。展示与新颖蒸汽传送系统以及与离子源配合的此类汽化器。
- 专利分类