[发明专利]激光照射装置、激光照射方法以及改性目标体的制造方法有效
申请号: | 200780014781.8 | 申请日: | 2007-03-16 |
公开(公告)号: | CN101432851A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 荻野义明;木村克巳;饭田康弘 | 申请(专利权)人: | 日立电脑机器株式会社 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/20 |
代理公司: | 北京金阙华进专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 谢 亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了适用于液晶显示装置的激光照射装置以及激光照射方法。激光照射装置设有半导体激光元件组(1A),其装有照射激光波长为370nm~480nm的激光的多个第1半导体激光元件(1),传送从多个第1半导体激光元件(1)照射的激光的光纤(2),以直线状保持该光纤(2)的直线光纤束(3),将由该直线光纤束(3)保持的光纤发出的激光整形成线状并且使激光强度分布的顶部平滑化后输出的光补偿器(4),将从该光补偿器输出的激光作为线状激光光斑会聚在目标体上的物镜(5)。上述半导体激光元件组(1A)的总照射输出值为6W以上100W以下。 | ||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 方法 以及 改性 目标 制造 | ||
【主权项】:
1. 激光照射装置,该装置通过激光照射使目标体改性,其设有半导体激光元件组,该半导体激光元件组配置有多个发出激光波长为370nm~480nm的激光的第1半导体激光元件,所述半导体激光元件组照射总照射输出值为6W以上100W以下的线状激光光斑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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