[发明专利]具有室去氟化和晶片去氟化中间步骤的等离子体蚀刻和光刻胶剥离工艺

摘要

本发明公开了一种等离子体蚀刻工艺，包括通过工件上的光刻胶掩膜进行的等离子体蚀刻步骤，所述蚀刻步骤使用在等离子体聚合物质中生成的聚合蚀刻处理气体，所述等离子体聚合物质在蚀刻步骤中在所述光刻胶掩膜的表面上聚积成保护性聚合物层，所述工艺包括在蚀刻步骤之后且在去除光刻胶掩膜之前在相同的室中进行的以下步骤：(a)从包括所述室的室顶的室表面去除包括聚合物材料的残余物，这如下实现：将RF等离子体源功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，并将含氢气体引入所述室中，直到所述残余物被从所述室表面去除；(b)从所述光刻胶掩膜的表面去除所述保护性聚合物层，这如下实现：将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体源功率耦合到所述室中，并将包含氧和一氧化碳的处理气体引入所述室中，直到所述聚合物层被从所述光刻胶的表面去除。

主权项

1. 一种用于工件的等离子体蚀刻工艺，所述工件具有在所述蚀刻工艺中暴露的低介电常数薄膜，所述工艺包括：在所述工件的顶表面上形成光刻胶掩膜，所述掩膜包括限定待蚀刻的孔位置的开口；将所述工件放置在等离子体反应器室中；如下进行蚀刻步骤：将包含氟碳或氟烃物质的聚合蚀刻处理气体引入所述室，并将RF等离子体源功率和RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，以生成如下物质的等离子体：(a)用于蚀刻与所述光刻胶掩膜中的所述开口对齐的所述工件中的孔的蚀刻物质，和(b)在所述蚀刻步骤中在所述光刻胶掩膜的表面上聚积成聚合物层的聚合物质；在去除所述光刻胶掩膜之前：(a)从包括所述室的室顶的室表面去除包括聚合物材料的残余物，这如下实现：将RF等离子体源功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，并将含氢气体引入所述室中，直到所述残余物被从所述室表面去除；(b)从所述光刻胶掩膜的表面去除所述聚合物层，这如下实现：将RF等离子体偏置功率耦合到所述室中，同时实质上不将RF等离子体源功率耦合到所述室中，并将包含氧和一氧化碳的处理气体引入所述室中，直到所述聚合物层被从所述光刻胶的表面去除；和将所述光刻胶从所述工件剥离。