[发明专利]监测和控制等离子体制造工艺的技术有效

专利信息
申请号: 200780008205.2 申请日: 2007-03-09
公开(公告)号: CN101401187A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 具本雄;卢多维克·葛特;瓦斯里斯·朋内提斯·凡劳米斯;维克拉姆·辛区;方子韦;伯纳德·琳赛 申请(专利权)人: 瓦里安半导体设备公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01J49/40
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿 宁
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于监测等离子体中的离子种类的飞行时间离子感测器包括外壳。漂移管定位于所述外壳中。提取器电极在所述外壳中定位于所述漂移管的一第一末端处,以便自等离子体吸引离子。多个电极定位于所述漂移管的一第一末端处并接近所述提取器电极。偏压所述多个电极,以便使被吸引的离子的至少一部分进入所述漂移管,且向所述漂移管的一第二末端漂移。一离子侦测器接近所述漂移管的所述第二末端而定位。所述离子侦测器侦测与所述被吸引离子的所述至少一部分关联的到达时间。
搜索关键词: 监测 控制 等离子体 制造 工艺 技术
【主权项】:
1、一种监测等离子体中的离子种类用的飞行时间离子感测器,其特征在于所述飞行时间离子感测器包含:外壳;漂移管,其定位于所述外壳中;提取器电极,其在所述外壳中定位于所述漂移管的第一末端处,所述提取器电极经配置以执行对来自等离子体的离子的吸引与排斥中的至少一种;多个电极,其定位于所述漂移管的第一末端处并接近所述提取器电极,所述多个电极经偏压,以便使所述被吸引的离子的至少一部分进入所述漂移管中,且向所述漂移管的第二末端漂移;以及离子侦测器,其接近所述漂移管的所述第二末端而定位,所述离子侦测器侦测与所述被吸引的离子的至少一部分相关联的到达时间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司,未经瓦里安半导体设备公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200780008205.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top