[发明专利]用于减少介电蚀刻中微粒污染的密封弹性材料粘合的Si电极等有效
| 申请号： | 200780005363.2 | 申请日： | 2007-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101385127A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 任大星;恩里科·马尼;埃里克·伦茨;雷恩·周 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于半导体基片处理的等离子反应室的电极组件，其包含具有粘合表面的衬垫构件，具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面的内部电极，以及具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面的外部电极。至少一个上述电极具有法兰，该法兰在另一个电极的该下部表面的至少一部分下面延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 蚀刻 微粒 污染 密封 弹性 材料 粘合 si 电极 | ||
【主权项】：
1. 一种用于在半导体基片处理中使用的等离子反应室的电极组件，包括:衬垫构件，其具有粘合表面；内部电极，其具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面；外部电极，其具有在一侧的下部表面和在另一侧的粘合表面；和其中，该电极的至少一个设有法兰，其在另一个电极的该下部表面的至少一部分下面延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
