[发明专利]静电卡盘有效
| 申请号： | 200780004585.2 | 申请日： | 2007-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN101379607A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 安藤正美;宫地淳;冈本修 | 申请（专利权）人： | TOTO株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B23Q3/15;C04B35/10;H02N13/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 涂勇 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是要提供曝露在等离子体过后，仍可以维持平滑的面，其结果是可以抑制对于硅片等的被吸附物所造成微粒的污染，且有优异的吸附、脱离被吸附体的特性，以低温烧成，容易进行制作的静电卡盘。本发明的静电卡盘是具备有氧化铝为99.4wt％以上、氧化钛为大于0.2wt％且0.6wt％以下、室温中体积电阻率为108～1011Ωcm、且氧化钛偏析至氧化铝粒子的粒界的结构的静电卡盘用电介体。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 | ||
【主权项】：
1.一种静电卡盘，其特征为：具备有静电卡盘用电介体，所述静电卡盘用电介体的结构是氧化铝为99.4wt％以上，氧化钛为大于0.2wt％且0.6wt％以下，室温中体积电阻率为108～1011Ωcm，且氧化钛偏析至氧化铝粒子的粒界。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
