[实用新型]AlGaInP－LED微显示器件

摘要

本实用新型属于发光显示技术领域，是一种高亮度微显示器件及制作方法。本实用新型所述的微显示器件包括有：上电极、透光层、发光层、反射层、基片、下电极、上保护层、光阑。上述器件制备过程包括：(A)在透光层和基片上制作金属薄膜和保护层，(B)制作上隔离沟槽和制备上电极，(C)制备光阑，(D)制作下隔离沟槽，(E)制作下电极；封装、制作电路引线，完成器件制作。本实用新型采用无机主动发光二极管芯片制备微显示器件，结构简单、牢固、响应快；克服了有机发光器件寿命短和驱动电流低而限制光输出强度的问题，提供一种自发光、体积小、功耗低并基于高亮度发光芯片的微显示器件。

主权项

1. 一种AlGaInP-LED微显示器件，其特征是由上电极(1)、透光层(4)、发光层(5)、反射层(6)、基片(7)、下电极(9)、光阑(11)构成；反射层(6)的上面依次为发光层(5)、透光层(4)，反射层(6)的下面是基片(7)；在透光层(4)上有互相平行的条形上电极(1)，发光层(5)和透光层(4)中开有纵向、横向交错的上隔离沟槽(2)内是光阑(11)；光阑(11)与上电极(1)将透光层(4)分割成长方形或正方形透光区(3)，透光区(3)构成二维阵列；反射层(6)下面的基片(7)上开有与上电极(1)互相垂直的下隔离沟槽(8)，将基片(7)分割成平行排列的条状结构，在每个条状结构的基片(7)上有下电极(9)。